등록특허

국외특허

1. US 8101980 B2, Graphene device and method of manufacturing the same. 미국 2012/01/24 5
2. US 8159037 B2, Stack structure comprising epitaxial graphene, method of forming the stack structure, and electronic device comprising the stack structure, 미국 2012/04/17 5
3. US 8513653 B2, Electronic device using a two-dimensional sheet material, transparent display and methods of fabricating the same, 미국 2013/08/20 4
4. US 8664439 B2, Graphene substituted with boron and nitrogen, method of fabricating the same, and transistor having the same. 미국 2014/03/04 5
5. US 8890171 B2 Method of fabricating single-layer graphene, 미국 2014/11/18 5
6. US 9023221 B2 Method of forming multi-layer graphene, 미국 2015/05/05 5
7. US 9053932 B2, Methods of preparing graphene and device including graphene, 미국 2015/06/09 10
8. US 9108848 B2, Methods of manufacturing and transferring larger-sized graphene. 미국 2015/08/18 8
9. US 9324805 B2 Flexible graphene switching device, 미국 2016/04/26 1
10. US 9544999 B2. Transparent electrodes and electronic devices including the same, 미국 2017/01/10 7
11. US 9755179 B2 Conductor and method of manufacturing the same. 미국 2017/10/05 5

국내특허
1. 10-0848813 탄소 나노튜브의 압전효과에 의한 변형을 이용한 트랜지스터와 비휘발성 메모리, 대한민국 2008/07/22 6
2. 10-0960391 나노디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치,  대한민국 2010/05/20 2